在全球淨零轉型、人工智慧（AI）快速發展及供應鏈重組的趨勢下，提升能源效率與強化關鍵技術自主，已成為各國科技及產業布局的重要課題。碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）等寬能隙（Wide Bandgap, WBG）半導體，憑藉高耐壓、高頻切換、低能量損耗及高功率密度等特性，正加速應用於電動載具、AI伺服器與資料中心、再生能源、儲能／快充、低軌衛星及5G／6G通訊等領域。與此同時，AI運算與高速通訊需求持續成長，亦帶動矽光子技術朝高速傳輸、低功耗及高整合方向發展，成為提升資料中心與先進運算效能的重要技術。整體產業發展重點正由單一元件性能提升，進一步延伸至封裝模組、光電整合、系統應用、可靠度驗證及供應鏈韌性，為臺灣半導體產業帶來新的發展契機。

高功率元件應用研發聯盟自2015年成立以來，已匯聚超過80家產學研夥伴，持續推動SiC與GaN材料、元件、模組及終端應用之技術交流與產業鏈結，並致力於促進研發成果落地及跨域合作。面對功率半導體應用持續擴展與國際競爭加劇，臺灣更應發揮既有半導體製造及資通訊產業優勢，整合材料、元件、封裝、系統與應用端能量，並關注矽光子等前瞻技術與功率半導體在AI及高速通訊領域的整合契機，掌握新興市場與技術轉型趨勢。

本論壇攜手產業共同邁入第11屆，今年特別邀請國際矽光子異質整合聯盟加入，期望匯聚功率半導體、光電整合及產業研究等多元專業能量。本屆邀集國內外產業領導廠商、技術專家及學研先進，聚焦分享SiC與GaN之最新技術進展、應用實務及市場布局，並納入矽光子技術與應用發展等前瞻議題；同時透過學生論文海報競賽，鼓勵青年人才投入創新研發。期盼藉由本次論壇深化產學研交流、促進供應鏈合作與人才培育，共同拓展臺灣功率半導體及前瞻光電技術的創新動能與國際競爭力。誠摯邀請您撥冗蒞臨，共襄盛舉！

• 論壇時間/Symposium Date

            2026年10月15日 (四) 10:00-16:45（9:30-10:00報到）/

            October 15, 2026, Thu., 10:00-16:45 (9:30-10:00 for registration)

• 論壇地點/Symposium Venue

            張榮發基金會國際會議中心801廳（台北市中正區中山南路11號8樓）/

            Room 801, Chang Yung-Fa Foundation International Convention Center (No. 11, Zhongshan South                    Road, Zhongzheng District, Taipei City)

• 論壇報名時間/Registration Period

            即日起至2025年10月8日(四)下午5:00止(名額有限，以額滿為止)/

            From now until October 8, 2026, Thu., 5:00p.m (until Full)

• 線上報名網址/Registration Website (Google forms)

            https://forms.gle/7iicn9HkfdSbTEaq8 (免費線上報名)

• 主辦單位/Organized Institutions

            高功率元件應用研發聯盟/High Power Device Application and Research Alliance

• 協辦單位/Co-Organized Institutions

            國家中山科學研究院/National Chung-Shan Institute of Science & Technology (NCSIST)

            台灣經濟研究院/Taiwan Institute of Economic Research (TIER)

            國際矽光子異質整合聯盟/Heterogeneously Integrated Silicon Photonics Alliance (HiSPA)